報(bào)告簡(jiǎn)介
氮化鎵(GaN)是一種無(wú)機(jī)物,是氮和鎵的化合物,主要應(yīng)用于射頻器件和電力電子器件的制造。受電信業(yè)和國(guó)防應(yīng)用的推動(dòng),全球氮化鎵的市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng),2020年預(yù)計(jì)突破10億美元,其中,射頻器件是最大的應(yīng)用領(lǐng)域。在競(jìng)爭(zhēng)格局方面,行業(yè)龍頭企業(yè)多以IDM模式為主,且國(guó)外公司在技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)能方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。
1、氮化鎵:第三代半導(dǎo)體材料的典型代表
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物。以GaN與SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料最大的優(yōu)點(diǎn)在于能夠適應(yīng)高壓,高頻和高溫的極端環(huán)境,性能大幅提升,氮化鎵的主要性能指標(biāo)如下:
2、上游原料金屬鎵:中國(guó)是全球最大的市場(chǎng)
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,金屬鎵是砷化鎵、氮化鎵的重要原料之一。目前,我國(guó)是全球最大的金屬鎵生產(chǎn)、消費(fèi)和出口國(guó)。2019年,我國(guó)原生鎵產(chǎn)量356.6噸,同比降低11.7%;消費(fèi)量262噸,基本與2018年持平。同時(shí),我國(guó)原生鎵產(chǎn)量和消費(fèi)量分別占全球的95.2%和48.9%。
3、下游射頻器件應(yīng)用規(guī)模占比達(dá)91%
2018-2019年,受電信業(yè)和國(guó)防應(yīng)用的推動(dòng),全球第三代半導(dǎo)體材料-氮化鎵(GaN)的市場(chǎng)規(guī)模由7億美元增長(zhǎng)至8.2億美元,其中射頻器件市場(chǎng)規(guī)模約7.4億美元,電力電子市場(chǎng)規(guī)模約0.76億美元。2020年隨著5G的應(yīng)用和推廣,市場(chǎng)規(guī)模將突破10億美元。
2018-2020全球第三代半導(dǎo)體材料-氮化鎵(GaN)的市場(chǎng)規(guī)模

在應(yīng)用領(lǐng)域方面,目前氮化鎵(GaN)主要應(yīng)用于射頻器件和電力電子器件的制造。2019年,射頻氮化鎵的市場(chǎng)規(guī)模占氮化鎵整體規(guī)模的比重達(dá)91%。
4、國(guó)外公司的技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)明顯
從氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈公司來(lái)看,國(guó)外公司在技術(shù)實(shí)力以及產(chǎn)能上保持較大的領(lǐng)先。其中,行業(yè)龍頭企業(yè)以IDM模式為主,其中,美國(guó)Qorvo擁有自身的晶圓代工廠以及封測(cè)廠,在國(guó)防以及5G射頻芯片領(lǐng)域具備較大優(yōu)勢(shì);而德國(guó)Infineon是專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,主要產(chǎn)品集中在6英寸GaN產(chǎn)線上,8英寸產(chǎn)線也在發(fā)展中。國(guó)內(nèi)廠商包括蘇州能華、華功半導(dǎo)體以及英諾賽科等。
本公司出品的研究報(bào)告首先介紹了中國(guó)氮化鎵(GaN)行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展環(huán)境、氮化鎵(GaN)行業(yè)整體運(yùn)行態(tài)勢(shì)等,接著分析了中國(guó)氮化鎵(GaN)行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)行的現(xiàn)狀,然后介紹了氮化鎵(GaN)行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局。隨后,報(bào)告對(duì)氮化鎵(GaN)行業(yè)做了重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析,最后分析了中國(guó)氮化鎵(GaN)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與投資預(yù)測(cè)。您若想對(duì)氮化鎵(GaN)行業(yè)產(chǎn)業(yè)有個(gè)系統(tǒng)的了解或者想投資中國(guó)氮化鎵(GaN)行業(yè),本報(bào)告是您不可或缺的重要工具。
本研究報(bào)告數(shù)據(jù)主要采用國(guó)家統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),海關(guān)總署,問(wèn)卷調(diào)查數(shù)據(jù),商務(wù)部采集數(shù)據(jù)等氮化鎵(GaN)。其中宏觀經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)主要來(lái)自國(guó)家統(tǒng)計(jì)局,部分行業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)主要來(lái)自國(guó)家統(tǒng)計(jì)局及市場(chǎng)調(diào)研數(shù)據(jù),企業(yè)數(shù)據(jù)主要來(lái)自于國(guó)統(tǒng)計(jì)局規(guī)模企業(yè)統(tǒng)計(jì)氮化鎵(GaN)及證券交易所等,價(jià)格數(shù)據(jù)主要來(lái)自于各類(lèi)市場(chǎng)監(jiān)測(cè)氮化鎵(GaN)。
報(bào)告目錄
2021-2025年中國(guó)氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)分析及產(chǎn)業(yè)投資戰(zhàn)略研究預(yù)測(cè)報(bào)告
第一章 氮化鎵相關(guān)概述
第二章 2018-2020年半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
2.1 半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
2.1.1 第一代半導(dǎo)體材料
2.1.2 第二代半導(dǎo)體材料
2.1.3 第三代半導(dǎo)體材料
2.1.4 半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
2.2 2018-2020年全球半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r
2.2.1 市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模
2.2.2 區(qū)域分布狀況
2.2.3 細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2.2.4 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況
2.3 2018-2020年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況
2.3.1 應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
2.3.2 產(chǎn)業(yè)支持政策
2.3.3 市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模
2.3.4 細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2.3.5 企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
2.3.6 國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程
2.4 中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問(wèn)題及發(fā)展對(duì)策
2.4.1 行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2 產(chǎn)品同質(zhì)化問(wèn)題
2.4.3 供應(yīng)鏈不完善
2.4.4 行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5 行業(yè)發(fā)展思路
2.5 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展前景展望
2.5.1 行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
2.5.2 行業(yè)需求分析
2.5.3 行業(yè)前景分析
第三章 2018-2020年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
3.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3 產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4 國(guó)產(chǎn)化將加速
3.2 2018-2020年氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
3.2.1 氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
3.2.2 氮化鎵市場(chǎng)需求狀況
3.2.3 氮化鎵廠商布局狀況
3.2.4 氮化鎵市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
3.2.5 氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
3.2.6 氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商
3.2.7 氮化鎵區(qū)域集聚發(fā)展
3.2.8 氮化鎵器件發(fā)展瓶頸
3.3 氮化鎵產(chǎn)業(yè)技術(shù)及研發(fā)狀況
3.3.1 產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新
3.3.2 產(chǎn)業(yè)研發(fā)進(jìn)展
3.3.3 技術(shù)專(zhuān)利分析
第四章 2018-2020年氮化鎵器件主要類(lèi)型發(fā)展分析
4.1 發(fā)光二極管(LED)
4.1.1 發(fā)光二極管(LED)發(fā)展概述
4.1.2 發(fā)光二極管(LED)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
4.1.3 發(fā)光二極管(LED)進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
4.1.4 氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
4.1.5 氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
4.2 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)
4.2.1 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)發(fā)展概述
4.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
4.2.3 GaN FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況
4.3 激光二極管(LD)
4.3.1 激光二極管(LD)發(fā)展概述
4.3.2 激光二極管(LD)背景技術(shù)
4.3.3 激光器進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
4.3.4 GaN基激光器發(fā)展概況分析
4.3.5 GaN基激光器應(yīng)用狀況分析
4.3.6 GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況
4.3.7 GaN基激光器發(fā)展前景展望
4.4 二極管(Diodes)
4.4.1 二極管(Diodes)發(fā)展概述
4.4.2 二極管進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
4.4.3 氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
4.5 射頻器件(RF)
4.5.1 射頻器件(RF)發(fā)展概述
4.5.2 GaN射頻器件市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
4.5.3 GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
4.6 太陽(yáng)能電池(Solar Cells)
4.6.1 2018-2020年中國(guó)太陽(yáng)能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
4.6.2 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展概述
4.6.3 InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率影響因素
4.6.4 InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率提升工藝
4.6.5 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展展望
第五章 2018-2020年氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
5.1 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.1.1 電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
5.1.2 GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
5.1.3 GaN電力電子器件產(chǎn)品分析
5.1.4 GaN電力電子器件分布情況
5.1.5 GaN組件商品化帶來(lái)的機(jī)遇
5.1.6 電力電子器件市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展方向
5.1.7 “十三五”中國(guó)電力電子發(fā)展重點(diǎn)
5.2 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.2.1 新能源行業(yè)相關(guān)政策支持
5.2.2 新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢(shì)
5.2.3 新能源發(fā)電建設(shè)和運(yùn)行情況
5.2.4 GaN大功率器件需求潛力
5.3 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.3.1 發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
5.3.2 智能電力設(shè)備發(fā)展分析
5.3.3 智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
5.3.4 GaN大功率器件需求潛力
5.4 氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.4.1 通訊設(shè)備市場(chǎng)需求分析
5.4.2 通訊設(shè)備制造業(yè)運(yùn)行分析
5.4.3 GaN大功率器件需求潛力
5.5 氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
5.5.1 GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.5.2 GaN在無(wú)線基站領(lǐng)域應(yīng)用
5.5.3 GaN在紫外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
5.5.4 GaN在紅外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
5.5.5 GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
5.5.6 GaN在生物化學(xué)探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
第六章 2018-2020年國(guó)際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
6.1 MACOM
6.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.1.2 企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
6.1.3 企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)
6.2 科沃(Qorvo)
6.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.2.2 企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
6.2.3 企業(yè)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)
6.3 雷神科技
6.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.3.2 企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
6.3.3 企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
6.4 恩智浦
6.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.4.2 企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
6.4.3 企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布
6.4.4 項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
6.5 英飛凌
6.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.5.2 企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
6.5.3 企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)
第七章 2018-2020年中國(guó)氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.1 蘇州納維科技有限公司
7.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2 企業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)
7.1.3 企業(yè)發(fā)展成就
7.2 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
7.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2 企業(yè)發(fā)展成就
7.2.3 企業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展
7.3 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
7.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2 企業(yè)人才隊(duì)伍
7.3.3 企業(yè)獲得榮譽(yù)
7.3.4 公司專(zhuān)利技術(shù)
7.3.5 企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
7.4 三安光電股份有限公司
7.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2 經(jīng)營(yíng)效益分析
7.4.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
7.4.4 財(cái)務(wù)狀況分析
7.4.5 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
7.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.4.7 未來(lái)前景展望
7.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
7.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2 經(jīng)營(yíng)效益分析
7.5.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
7.5.4 財(cái)務(wù)狀況分析
7.5.5 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
7.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.5.7 未來(lái)前景展望
7.6 四川海特高新技術(shù)股份有限公司
7.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.6.2 經(jīng)營(yíng)效益分析
7.6.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
7.6.4 財(cái)務(wù)狀況分析
7.6.5 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
7.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.6.7 未來(lái)前景展望
第八章 2021-2025年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測(cè)
8.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
8.1.1 產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)
8.1.2 企業(yè)并購(gòu)案例
8.1.3 企業(yè)并購(gòu)金額
8.1.4 投資擴(kuò)產(chǎn)狀況
8.1.5 區(qū)域投資分布
8.2 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
8.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
8.2.2 市場(chǎng)應(yīng)用潛力
8.2.3 市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇
8.3 2021-2025年中國(guó)氮化鎵市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析
8.3.1 2021-2025年中國(guó)氮化鎵市場(chǎng)影響因素分析
8.3.2 2021-2025年中國(guó)基站端GaN放大器市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)第一章 氮化鎵相關(guān)概述
1.1 氮化鎵基本介紹
1.1.1 氮化鎵基本概念
1.1.2 氮化鎵形成階段
1.1.3 氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
1.1.4 氮化鎵半導(dǎo)體作用
1.2 氮化鎵材料的特性
1.2.1 結(jié)構(gòu)特性
1.2.2 化學(xué)特性
1.2.3 光學(xué)特性
1.2.4 電學(xué)性質(zhì)
1.2.5 磁學(xué)特性
1.3 氮化鎵的制備方法
1.3.1 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)
1.3.2 分子束外延(MBE)技術(shù)
1.3.3 氫化物氣相外延(HVPE)技術(shù)
1.3.4 懸空外延技術(shù)(Pendeo-epitaxy)
第二章 2018-2020年半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
2.1 半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
2.1.1 第一代半導(dǎo)體材料
2.1.2 第二代半導(dǎo)體材料
2.1.3 第三代半導(dǎo)體材料
2.1.4 半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
2.2 2018-2020年全球半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r
2.2.1 市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模
2.2.2 區(qū)域分布狀況
2.2.3 細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2.2.4 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況
2.3 2018-2020年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況
2.3.1 應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
2.3.2 產(chǎn)業(yè)支持政策
2.3.3 市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模
2.3.4 細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2.3.5 企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
2.3.6 國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程
2.4 中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問(wèn)題及發(fā)展對(duì)策
2.4.1 行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2 產(chǎn)品同質(zhì)化問(wèn)題
2.4.3 供應(yīng)鏈不完善
2.4.4 行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5 行業(yè)發(fā)展思路
2.5 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展前景展望
2.5.1 行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
2.5.2 行業(yè)需求分析
2.5.3 行業(yè)前景分析
第三章 2018-2020年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
3.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3 產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4 國(guó)產(chǎn)化將加速
3.2 2018-2020年氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
3.2.1 氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
3.2.2 氮化鎵市場(chǎng)需求狀況
3.2.3 氮化鎵廠商布局狀況
3.2.4 氮化鎵市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
3.2.5 氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
3.2.6 氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商
3.2.7 氮化鎵區(qū)域集聚發(fā)展
3.2.8 氮化鎵器件發(fā)展瓶頸
3.3 氮化鎵產(chǎn)業(yè)技術(shù)及研發(fā)狀況
3.3.1 產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新
3.3.2 產(chǎn)業(yè)研發(fā)進(jìn)展
3.3.3 技術(shù)專(zhuān)利分析
第四章 2018-2020年氮化鎵器件主要類(lèi)型發(fā)展分析
4.1 發(fā)光二極管(LED)
4.1.1 發(fā)光二極管(LED)發(fā)展概述
4.1.2 發(fā)光二極管(LED)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
4.1.3 發(fā)光二極管(LED)進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
4.1.4 氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
4.1.5 氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
4.2 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)
4.2.1 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)發(fā)展概述
4.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
4.2.3 GaN FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況
4.3 激光二極管(LD)
4.3.1 激光二極管(LD)發(fā)展概述
4.3.2 激光二極管(LD)背景技術(shù)
4.3.3 激光器進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
4.3.4 GaN基激光器發(fā)展概況分析
4.3.5 GaN基激光器應(yīng)用狀況分析
4.3.6 GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況
4.3.7 GaN基激光器發(fā)展前景展望
4.4 二極管(Diodes)
4.4.1 二極管(Diodes)發(fā)展概述
4.4.2 二極管進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
4.4.3 氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
4.5 射頻器件(RF)
4.5.1 射頻器件(RF)發(fā)展概述
4.5.2 GaN射頻器件市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
4.5.3 GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
4.6 太陽(yáng)能電池(Solar Cells)
4.6.1 2018-2020年中國(guó)太陽(yáng)能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
4.6.2 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展概述
4.6.3 InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率影響因素
4.6.4 InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率提升工藝
4.6.5 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展展望
第五章 2018-2020年氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
5.1 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.1.1 電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
5.1.2 GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
5.1.3 GaN電力電子器件產(chǎn)品分析
5.1.4 GaN電力電子器件分布情況
5.1.5 GaN組件商品化帶來(lái)的機(jī)遇
5.1.6 電力電子器件市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展方向
5.1.7 “十三五”中國(guó)電力電子發(fā)展重點(diǎn)
5.2 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.2.1 新能源行業(yè)相關(guān)政策支持
5.2.2 新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢(shì)
5.2.3 新能源發(fā)電建設(shè)和運(yùn)行情況
5.2.4 GaN大功率器件需求潛力
5.3 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.3.1 發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
5.3.2 智能電力設(shè)備發(fā)展分析
5.3.3 智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
5.3.4 GaN大功率器件需求潛力
5.4 氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.4.1 通訊設(shè)備市場(chǎng)需求分析
5.4.2 通訊設(shè)備制造業(yè)運(yùn)行分析
5.4.3 GaN大功率器件需求潛力
5.5 氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
5.5.1 GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.5.2 GaN在無(wú)線基站領(lǐng)域應(yīng)用
5.5.3 GaN在紫外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
5.5.4 GaN在紅外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
5.5.5 GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
5.5.6 GaN在生物化學(xué)探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
第六章 2018-2020年國(guó)際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
6.1 MACOM
6.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.1.2 企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
6.1.3 企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)
6.2 科沃(Qorvo)
6.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.2.2 企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
6.2.3 企業(yè)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)
6.3 雷神科技
6.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.3.2 企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
6.3.3 企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
6.4 恩智浦
6.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.4.2 企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
6.4.3 企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布
6.4.4 項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
6.5 英飛凌
6.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.5.2 企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
6.5.3 企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)
第七章 2018-2020年中國(guó)氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.1 蘇州納維科技有限公司
7.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2 企業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)
7.1.3 企業(yè)發(fā)展成就
7.2 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
7.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2 企業(yè)發(fā)展成就
7.2.3 企業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展
7.3 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
7.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2 企業(yè)人才隊(duì)伍
7.3.3 企業(yè)獲得榮譽(yù)
7.3.4 公司專(zhuān)利技術(shù)
7.3.5 企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
7.4 三安光電股份有限公司
7.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2 經(jīng)營(yíng)效益分析
7.4.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
7.4.4 財(cái)務(wù)狀況分析
7.4.5 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
7.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.4.7 未來(lái)前景展望
7.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
7.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2 經(jīng)營(yíng)效益分析
7.5.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
7.5.4 財(cái)務(wù)狀況分析
7.5.5 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
7.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.5.7 未來(lái)前景展望
7.6 四川海特高新技術(shù)股份有限公司
7.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.6.2 經(jīng)營(yíng)效益分析
7.6.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
7.6.4 財(cái)務(wù)狀況分析
7.6.5 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
7.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.6.7 未來(lái)前景展望
第八章 2021-2025年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測(cè)
8.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
8.1.1 產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)
8.1.2 企業(yè)并購(gòu)案例
8.1.3 企業(yè)并購(gòu)金額
8.1.4 投資擴(kuò)產(chǎn)狀況
8.1.5 區(qū)域投資分布
8.2 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
8.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
8.2.2 市場(chǎng)應(yīng)用潛力
8.2.3 市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇
8.3 2021-2025年中國(guó)氮化鎵市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析
8.3.1 2021-2025年中國(guó)氮化鎵市場(chǎng)影響因素分析
8.3.2 2021-2025年中國(guó)基站端GaN放大器市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
圖表目錄
圖表1 半導(dǎo)體發(fā)展歷程
圖表2 硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學(xué)性質(zhì)參數(shù)比較
圖表3 半導(dǎo)體材料性能比較
圖表4 砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體的作用
圖表5 纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性
圖表6 三代半導(dǎo)體材料常溫下部分性質(zhì)
圖表7 半導(dǎo)體材料的主要應(yīng)用
圖表8 2016-2019年全球半導(dǎo)體材料銷(xiāo)售額及增速
圖表9 2019年全球半導(dǎo)體材料區(qū)域市場(chǎng)變化
圖表10 2016-2019年全球半導(dǎo)體材料細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
圖表11 2018年全球前五大硅晶圓供應(yīng)商概況
圖表12 半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封測(cè)環(huán)節(jié)
圖表13 2019年部分地區(qū)半導(dǎo)體材料相關(guān)布局
圖表14 2017-2019年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模
圖表15 2017-2019年中國(guó)半導(dǎo)體材料細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
圖表16 2016-2019年國(guó)內(nèi)企業(yè)半導(dǎo)體制造材料國(guó)產(chǎn)化率
圖表17 GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表18 GaN外延用不同襯底的對(duì)比
圖表19 GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術(shù)
圖表20 GaN器件發(fā)展史
圖表21 第三代半導(dǎo)體國(guó)家級(jí)支持政策
圖表22 第三代半導(dǎo)體地方支持政策
圖表23 部分“十三五”重點(diǎn)研發(fā)技術(shù)
圖表24 國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要
圖表25 GaN器件適用于功率器件市場(chǎng)
圖表26 2018年國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進(jìn)展(一)
圖表27 2018年國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進(jìn)展(二)
圖表28 2018年8英寸Si基GaN外延片及器件研發(fā)進(jìn)展
圖表29 GaN-on-Si光電、功率和射頻應(yīng)用領(lǐng)域的關(guān)鍵專(zhuān)利權(quán)人
圖表30 按應(yīng)用細(xì)分的GaN-on-Si專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)
圖表31 電力電子領(lǐng)域的GaN-on-Si專(zhuān)利領(lǐng)導(dǎo)者
圖表32 LED的生產(chǎn)流程
圖表33 LED器件按封裝形式分類(lèi)
圖表34 LED器件按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)
圖表35 2006-2019年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值規(guī)模走勢(shì)圖
圖表36 2006-2019年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)細(xì)分領(lǐng)域產(chǎn)值規(guī)模走勢(shì)圖
圖表37 2010-2019年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域規(guī)模統(tǒng)計(jì)圖
圖表38 2010-2019年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)變動(dòng)趨勢(shì)
圖表39 2011-2019年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模增速對(duì)比
圖表40 2013-2018年中國(guó)LED芯片行業(yè)產(chǎn)值規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)
圖表41 2018-2020年中國(guó)發(fā)光二極管進(jìn)出口總量
圖表42 2018-2020年中國(guó)發(fā)光二極管進(jìn)出口總額
圖表43 2018-2020年中國(guó)發(fā)光二極管進(jìn)出口(總量)結(jié)構(gòu)
圖表44 2018-2020年中國(guó)發(fā)光二極管進(jìn)出口(總額)結(jié)構(gòu)
圖表45 2018-2020年中國(guó)發(fā)光二極管貿(mào)易逆差規(guī)模
圖表46 2018-2019年中國(guó)發(fā)光二極管進(jìn)口區(qū)域分布
圖表47 2018-2019年中國(guó)發(fā)光二極管進(jìn)口市場(chǎng)集中度(分國(guó)家)
圖表48 2019年主要貿(mào)易國(guó)發(fā)光二極管進(jìn)口市場(chǎng)情況
圖表49 2020年主要貿(mào)易國(guó)發(fā)光二極管進(jìn)口市場(chǎng)情況
圖表50 2018-2019年中國(guó)發(fā)光二極管出口區(qū)域分布
圖表51 2018-2019年中國(guó)發(fā)光二極管出口市場(chǎng)集中度(分國(guó)家)
圖表52 2019年主要貿(mào)易國(guó)發(fā)光二極管出口市場(chǎng)情況
圖表53 2020年主要貿(mào)易國(guó)發(fā)光二極管出口市場(chǎng)情況
圖表54 2018-2019年主要省市發(fā)光二極管進(jìn)口市場(chǎng)集中度(分省市)
圖表55 2019年主要省市發(fā)光二極管進(jìn)口情況
圖表56 2020年主要省市發(fā)光二極管進(jìn)口情況
圖表57 2018-2019年中國(guó)發(fā)光二極管出口市場(chǎng)集中度(分省市)