按照特性及原材料不同，壓電薄膜可分為壓電單晶薄膜以及壓電多晶薄膜兩種類(lèi)型。壓電單晶薄膜，指以鈮酸鋰、鉭酸鋰、石英等壓電單晶材料為基材制成的壓電薄膜。壓電單晶薄膜可將機(jī)械能轉(zhuǎn)換為電能，具備結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、耐高溫、可控性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在光電器件、微電子器件、通信器件以及能源存儲(chǔ)等領(lǐng)域擁有巨大應(yīng)用潛力。
   壓電單晶薄膜主要以鈮酸鋰、鉭酸鋰、石英等為原材料制成，鈮酸鋰和鉭酸鋰在其制備過(guò)程中應(yīng)用較多。鈮酸鋰晶體作為新型無(wú)機(jī)材料，具備光透過(guò)范圍寬、光電效應(yīng)豐富、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)勢(shì)，在壓電材料、光電材料、鐵電材料制備過(guò)程中需求旺盛。受益于技術(shù)進(jìn)步，我國(guó)鈮酸鋰晶體產(chǎn)量持續(xù)增長(zhǎng)。2023年我國(guó)鈮酸鋰單晶產(chǎn)量達(dá)到近200萬(wàn)片。原材料優(yōu)勢(shì)將為我國(guó)壓電單晶薄膜行業(yè)發(fā)展奠定良好基礎(chǔ)。
   壓電單晶薄膜制備方法包括化學(xué)氣相沉積法（CVD）、液相外延法（LPE）、分子束外延法（MBE）、溶膠-凝膠法、水熱合成法、脈沖激光沉積法（PLD）以及磁控濺射法等。分子束外延法指在高真空條件下使原材料蒸發(fā)并沉積于基板上，進(jìn)而制成薄膜，該法具有成品質(zhì)量好、參數(shù)易控制等優(yōu)勢(shì)。
   壓電單晶薄膜在眾多領(lǐng)域擁有潛在應(yīng)用價(jià)值。在微電子器件領(lǐng)域，壓電單晶薄膜可用于制造集成電路、二極管以及晶體管等。近年來(lái)，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向我國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，我國(guó)集成電路產(chǎn)量持續(xù)增長(zhǎng)。據(jù)國(guó)家工信部統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2023年我國(guó)集成電路產(chǎn)量達(dá)到3514億塊，同比增長(zhǎng)6.9%。在應(yīng)用需求帶動(dòng)下，我國(guó)壓電單晶薄膜行業(yè)發(fā)展空間將進(jìn)一步擴(kuò)展。
   我國(guó)壓電單晶薄膜主要生產(chǎn)商包括濟(jì)南晶正電子科技有限公司、珠海晶訊聚震科技有限公司等。晶正電子具備鈮酸鋰單晶薄膜以及鉭酸鋰單晶薄膜自主研發(fā)及批量生產(chǎn)實(shí)力，產(chǎn)品在射頻濾波器、光電探測(cè)器以及電光調(diào)制器中應(yīng)用較多。
   壓電單晶薄膜作為壓電薄膜細(xì)分產(chǎn)品，性能優(yōu)異，在眾多領(lǐng)域擁有巨大應(yīng)用潛力。隨著下游行業(yè)發(fā)展速度加快，我國(guó)壓電單晶薄膜將迎來(lái)廣闊市場(chǎng)前景。預(yù)計(jì)未來(lái)一段時(shí)間，伴隨技術(shù)進(jìn)步，我國(guó)壓電單晶薄膜生產(chǎn)成本有望降低，屆時(shí)其出貨量將進(jìn)一步增長(zhǎng)。