高純納米級(jí)球形硅微粉的傳統(tǒng)制備方法主要是火焰熔融法，以石英礦為原料，提純后研磨成粉體，噴射進(jìn)入火焰熔融爐，經(jīng)高溫熔化再冷卻制成。
　　硅微粉是一種功能性填料，普通的角形硅微粉形狀不規(guī)則，流動(dòng)性差，球形硅微粉顆粒呈球狀，摩擦系數(shù)小、流動(dòng)性好、尺寸穩(wěn)定性高、比表面積大，且強(qiáng)度高、硬度大、熱膨脹系數(shù)低，在集成電路領(lǐng)域需求旺盛。
　　我國(guó)球形硅微粉生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量少，主要有聯(lián)瑞新材、華飛電子（雅克科技）、錦藝新材、益新科技等，部分企業(yè)已具備高端球形硅微粉生產(chǎn)實(shí)力。聯(lián)瑞新材發(fā)布公告，預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)1.10-1.25億元，同比增加51%-71%，業(yè)績(jī)變動(dòng)主要原因在于報(bào)告期內(nèi)整體市場(chǎng)需求回暖，公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化，高階品占比增長(zhǎng)。
　　隨著電子技術(shù)不斷進(jìn)步，薄型化、小型化、功能集成化成為電子產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)，大規(guī)模集成電路需求比例持續(xù)上升。大規(guī)模集成電路封裝需要粘度低、流動(dòng)性佳的材料，球形硅微粉作為填料需求隨之不斷提升。特別是超大規(guī)模集成電路封裝材料需要采用球形化程度高、形狀均勻度高、純度高、超細(xì)顆粒的高純納米級(jí)球形硅微粉。
　　除集成電路領(lǐng)域外，高純納米級(jí)球形硅微粉還可以應(yīng)用在HBM生產(chǎn)中。HBM，高帶寬存儲(chǔ)器，是新型CPU/GPU內(nèi)存芯片。隨著AI大模型興起，算力需求大幅增加，HBM可以滿足海量算力需求，成為AI服務(wù)器標(biāo)配。2023年，HBM占DRAM產(chǎn)值不足10%，預(yù)計(jì)2024年將提升至20%以上。預(yù)計(jì)2024年，全球HBM需求將增長(zhǎng)2倍。HBM成為高純納米級(jí)球形硅微粉需求增長(zhǎng)新動(dòng)力。
　　高純納米級(jí)球形硅微粉技術(shù)壁壘高，在全球范圍內(nèi)，僅有美國(guó)、日本等少數(shù)國(guó)家可以生產(chǎn)，這些國(guó)家對(duì)相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備、生產(chǎn)技術(shù)嚴(yán)格封鎖，一直以來我國(guó)市場(chǎng)需求依靠進(jìn)口。目前，我國(guó)已經(jīng)是全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)國(guó)，并且電子產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級(jí)速度加快，高純納米級(jí)球形硅微粉需求持續(xù)上升，為避免被卡脖子，我國(guó)必須實(shí)現(xiàn)自主生產(chǎn)。
　　中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所通開發(fā)出一種新型高純納米級(jí)球形硅微粉制備工藝，以高純多晶硅為原料，置入熔融爐內(nèi)高溫蒸發(fā)，經(jīng)氧化、冷卻后制成，此工藝不采用石英礦為原料，無需提純、研磨過程，生產(chǎn)工藝相對(duì)簡(jiǎn)單。我國(guó)《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2024年本）》中，將高純納米級(jí)球形硅微粉列為鼓勵(lì)類項(xiàng)目。這將推動(dòng)我國(guó)高純納米級(jí)球形硅微粉行業(yè)發(fā)展速度加快。