立方碳化硅，又稱β-SiC，指由硅和碳組成的含立方晶系結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體材料。立方碳化硅具備熱導(dǎo)率高、導(dǎo)電性好、耐腐蝕、帶隙寬、密度低等優(yōu)勢(shì)，在研磨材料、電子電氣、金屬冶煉、涂層材料等眾多領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。
立方碳化硅制備方法包括固相合成法、氣相合成法兩種。固相合成法可細(xì)分為硅與碳直接反應(yīng)法、碳熱還原法；氣相合成法可細(xì)分為激光誘導(dǎo)氣相法、等離子體法、化學(xué)氣相沉積法（CVD）等。目前，立方碳化硅行業(yè)尚處于起步階段，其制備方法普遍存在成品質(zhì)量差、生產(chǎn)流程復(fù)雜等缺陷。未來(lái)伴隨技術(shù)進(jìn)步，立方碳化硅產(chǎn)量及質(zhì)量有望進(jìn)一步提升。
近年來(lái)，我國(guó)企業(yè)及相關(guān)科研機(jī)構(gòu)不斷加大對(duì)于立方碳化硅的研究，已獲得多項(xiàng)相關(guān)專利，主要包括《一種立方碳化硅涂層的制備方法》、《一種立方碳化硅薄膜的制備方法》、《一種快速生長(zhǎng)大尺寸高質(zhì)量立方碳化硅單晶的裝置及方法》、《碳化硅晶體生長(zhǎng)用助熔劑、立方碳化硅晶體及其生長(zhǎng)方法》、《一種立方碳化硅超精油石的制備方法》等。未來(lái)隨著研究深入，我國(guó)立方碳化硅行業(yè)發(fā)展速度將進(jìn)一步加快。
立方碳化硅在眾多領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景，主要包括研磨材料、電子電氣、金屬冶煉、涂層材料等。在研磨材料領(lǐng)域，立方碳化硅作為研磨拋光材料，具備研磨效率高、硬度高等優(yōu)勢(shì)，可用于玻璃、金屬以及陶瓷等材料的研磨拋光環(huán)節(jié)；在電子電氣領(lǐng)域，其具備熱學(xué)性能和電學(xué)性能，可用于制造功率半導(dǎo)體器件；在涂層材料領(lǐng)域，其可涂覆于模具、刀具以及鉆頭表面。
西安博爾新材料有限責(zé)任公司、北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司等為我國(guó)立方碳化硅市場(chǎng)主要參與者。博爾新材為我國(guó)乃至全球首家具備立方碳化硅微粉工業(yè)化生產(chǎn)能力的企業(yè)，產(chǎn)品質(zhì)量位居行業(yè)領(lǐng)先。
立方碳化硅作為一種新型化合物半導(dǎo)體材料，在眾多領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。未來(lái)伴隨技術(shù)進(jìn)步以及市場(chǎng)需求逐漸釋放，我國(guó)立方碳化硅行業(yè)發(fā)展速度有望加快。目前，我國(guó)企業(yè)已具備立方碳化硅批量生產(chǎn)實(shí)力，技術(shù)水平及產(chǎn)品質(zhì)量在全球市場(chǎng)占據(jù)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。