刻蝕機是用于電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，是半導體制造中的核心設備之一，其主要通過物理或化學的方法，有選擇性地去除材料，以實現(xiàn)半導體器件的精細圖案化�，F(xiàn)代刻蝕機主要采用等離子體技術，利用射頻電源激發(fā)反應氣體產生離子，通過電場加速轟擊硅片表面，實現(xiàn)原子級精度的材料去除。這種干法刻蝕工藝相比傳統(tǒng)濕法刻蝕，具有更高的選擇比和更低的線寬損失，能夠滿足5nm及以下先進制程的工藝需求。
　　刻蝕機的應用貫穿半導體制造全流程，尤其在邏輯芯片、存儲芯片（如DRAM、3D NAND）及先進封裝中發(fā)揮關鍵作用。以3D NAND為例，當堆疊層數(shù)超過200層時，刻蝕機的深寬比刻蝕技術直接決定存儲密度與良率。此外，在化合物半導體（如GaN、SiC）、光學器件及MEMS傳感器等領域，刻蝕機也具有廣泛適用性。近年來，5G通信、人工智能及高性能計算對先進芯片的需求驅動全球刻蝕機市場不斷擴大，帶動其市場規(guī)模從2019年的115億美元增長至2024年的153億美元。
　　當前，全球刻蝕機市場呈現(xiàn)高度壟斷格局，美國應用材料（AMAT）、泛林半導體（Lam Research）和日本東京電子（TEL）三家企業(yè)占據(jù)近90%的市場份額。其中，應用材料在介質刻蝕領域優(yōu)勢顯著，泛林半導體主導硅刻蝕市場，東京電子則在存儲芯片刻蝕設備中占據(jù)領先地位。
　　在中國市場，隨著中國大陸晶圓廠的逆勢增長和國產替代趨勢的加強，國內刻蝕設備企業(yè)正逐漸崛起。中國刻蝕機產業(yè)內企業(yè)通過“引進消化-自主創(chuàng)新-協(xié)同攻關”模式突破技術壁壘，已形成完整技術體系。例如，中微半導體自主研發(fā)的5nm刻蝕機已進入臺積電供應鏈，北方華創(chuàng)14nm刻蝕機實現(xiàn)量產。2023年中國國產刻蝕機市場份額提升至15%，但高端設備仍依賴進口。
　　未來，隨著5G、物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)、汽車電子以及AI等新興技術的持續(xù)創(chuàng)新，半導體需求將持續(xù)增長，推動晶圓制造設備市場的不斷擴大。刻蝕機作為半導體制造中的核心設備之一，其市場將迎來更加廣闊的發(fā)展前景。同時，隨著半導體工藝的不斷發(fā)展，刻蝕技術也將面臨更高的技術要求，包括刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比等方面的挑戰(zhàn)，這也將推動刻蝕機的持續(xù)更新與升級，為行業(yè)帶來新的發(fā)展機遇。