半導(dǎo)體存儲器憑借其高速、低功耗、小體積等優(yōu)勢，成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心組件。從計(jì)算機(jī)主存到智能手機(jī)存儲，從數(shù)據(jù)中心到自動駕駛系統(tǒng)，其應(yīng)用覆蓋幾乎所有需要數(shù)據(jù)存儲和處理的領(lǐng)域。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型存儲技術(shù)（如PCM、ReRAM）將推動半導(dǎo)體存儲器向更高性能、更低功耗的方向發(fā)展，持續(xù)賦能信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新。

一、半導(dǎo)體存儲器的定義

半導(dǎo)體存儲器是采用半導(dǎo)體集成電路工藝制造的電子器件，用于存儲數(shù)字信息，是現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心組件。根據(jù)數(shù)據(jù)保存特性，半導(dǎo)體存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩大類，易失性存儲器包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），非易失性存儲器包括ROM（只讀存儲器）和Flash（閃存）。此外，還有新興的MRAM、PCM、FeRAM、ReRAM等非易失性技術(shù)，半導(dǎo)體存儲器正逐步向高速、低成本、高耐久性方向發(fā)展。

二、半導(dǎo)體存儲器行業(yè)發(fā)展政策

近年來，我國將存儲芯片納入《國家數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)指引》《“十四五”國家信息化規(guī)劃》《“十四五”信息通信行業(yè)發(fā)展規(guī)劃》《“十四五”軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》等國家級戰(zhàn)略文件，構(gòu)建了涵蓋財(cái)稅優(yōu)惠、研發(fā)補(bǔ)貼、產(chǎn)業(yè)投資和人才補(bǔ)貼的全方位支持體系，為半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供明確戰(zhàn)略導(dǎo)向。

三、半導(dǎo)體存儲器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1.全球半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模

隨著全球數(shù)據(jù)量爆炸式增長，全球半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。2024年全球半導(dǎo)體存儲市場規(guī)模達(dá)到2059億美元，較上年增長75.98%。2025年全球半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模將增長至2342億美元。

2.全球半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品類型占比

面向終端用戶的存儲產(chǎn)品主要分為四大類，分別是嵌入式存儲、固態(tài)硬盤、移動存儲和內(nèi)存條等。2024年，受消費(fèi)電子、智能汽車和工控設(shè)備增長推動，全球半導(dǎo)體存儲器主要產(chǎn)品類型中，嵌入式存儲市場規(guī)模占比最大，達(dá)42.7%。其次是內(nèi)存條和固態(tài)硬盤，市場規(guī)模分別占比28.3%和15.7%，主要是受企業(yè)級產(chǎn)品（尤其是數(shù)據(jù)中心內(nèi)AI服務(wù)器使用的產(chǎn)品）需求的推動。HBM和移動存儲，市場規(guī)模分別占比8.3%和2.8%。

3.中國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模

近年來，我國正通過自主技術(shù)逐步打破海外壟斷，國內(nèi)半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模穩(wěn)步增長。2024年中國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模達(dá)到約4267億元，較上年增長8.22%。2025年中國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模將達(dá)到4651億元。

4.半導(dǎo)體存儲器行業(yè)投融資情況

2024年，中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)投融資事件達(dá)19起，金額回升至232.07億元，為近五年峰值。2025年上半年，行業(yè)融資活躍度持續(xù)攀升，投融資事件數(shù)量達(dá)9件，披露融資總額約22.2億元。

5.半導(dǎo)體存儲器重點(diǎn)發(fā)展?jié)摿ζ髽I(yè)

中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)處于國際寡頭壟斷的競爭格局中，三星、SK海力士、美光等國際巨頭通過技術(shù)壟斷和產(chǎn)能擴(kuò)張維持優(yōu)勢。中國本土企業(yè)如長江存儲、長鑫存儲、兆易創(chuàng)新等通過性價(jià)比、定制化服務(wù)及本土化供應(yīng)鏈滲透中低端市場，逐步向高端領(lǐng)域突破。

四、半導(dǎo)體存儲器行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)

1.長江存儲

長江存儲是集芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、封裝測試及系統(tǒng)解決方案于一體的存儲器IDM企業(yè)，成立于2016年，總部位于武漢。公司以3D NAND閃存為核心產(chǎn)品，通過自主研發(fā)的Xtacking®架構(gòu)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，已量產(chǎn)多代TLC/QLC 3D NAND產(chǎn)品，并廣泛應(yīng)用于移動通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

2.長鑫存儲

長鑫存儲是國內(nèi)一體化存儲器制造龍頭企業(yè)，專注于DRAM芯片的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司成立于2016年，總部位于合肥，已推出多款商用DRAM產(chǎn)品，包括LPDDR5、DDR4等，廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。2023年，長鑫存儲正式發(fā)布國產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存，成為國內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品量產(chǎn)的企業(yè)，標(biāo)志著中國在高端存儲芯片領(lǐng)域取得重大突破。公司通過持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新，逐步縮小與國際巨頭的差距，推動國產(chǎn)DRAM市場份額提升。

3.兆易創(chuàng)新

兆易創(chuàng)新是全球領(lǐng)先的Fabless芯片供應(yīng)商，成立于2005年，總部位于北京。公司以存儲器（NOR Flash、NAND Flash、DRAM）、32位通用MCU和傳感器為核心產(chǎn)品線，擁有自主可控的嵌入式存儲技術(shù)，NOR Flash出貨量全球第二，累計(jì)超270億顆。其MCU產(chǎn)品累計(jì)出貨量超20億顆，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。2025年一季度，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入19.09億元，同比增長17.32%，歸母凈利潤2.35億元，同比增長14.57%。2024年，公司存儲芯片收入51.94億元，占比70.61%。

4.北京君正

北京君正成立于2005年，是全球領(lǐng)先的嵌入式CPU芯片及解決方案提供商。公司以自主創(chuàng)新的XBurst® CPU內(nèi)核為核心，聚焦利基型存儲市場，通過并購北京矽成（ISSI）切入車規(guī)級存儲領(lǐng)域，成為全球車用SRAM、DRAM、NOR Flash芯片領(lǐng)域第一、第二、第五大供應(yīng)商。其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，技術(shù)積淀深厚，在車規(guī)存儲、車規(guī)LED驅(qū)動等細(xì)分領(lǐng)域具備顯著先發(fā)優(yōu)勢，形成差異化競爭力。

2025年一季度，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入10.6億元，同比增長5.28%，歸母凈利潤7390.5萬元，同比下降15.30%。2024年，公司存儲芯片收入25.89億元，占比61.47%。

5.江波龍

江波龍是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲品牌企業(yè)，成立于1999年，總部位于深圳。公司以存儲技術(shù)創(chuàng)新為根本，提供嵌入式存儲、固態(tài)硬盤、移動存儲及內(nèi)存條等全棧定制服務(wù)，擁有行業(yè)類品牌FORESEE和國際高端消費(fèi)類品牌Lexar（雷克沙）。其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等領(lǐng)域，并率先發(fā)布車規(guī)級eMMC、UFS及企業(yè)級SSD等高端存儲產(chǎn)品。

2025年一季度，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入42.56億元，同比下降4.41%，歸母凈利潤虧損1.52億元，上年同期盈利3.84億元。2024年，公司嵌入式存儲收入84.25億，占比48.24%，固態(tài)硬盤收入41.47億，占比23.75%，移動存儲收入32.08億，占比18.37%，內(nèi)存條收入15.27億，占比8.74%。

五、半導(dǎo)體存儲器行業(yè)發(fā)展前景

1.政策層面支持行業(yè)發(fā)展

 “十四五”以來，國家將半導(dǎo)體存儲器列為“卡脖子”環(huán)節(jié)中的最高優(yōu)先級，持續(xù)加碼“大基金三期+科創(chuàng)板綠色通道+地方專項(xiàng)債”三位一體政策包：大基金三期向長鑫、長江存儲合計(jì)注資超300億元；科創(chuàng)板第五套上市標(biāo)準(zhǔn)為尚未盈利的長鑫存儲、得一微等存儲IDM和主控企業(yè)打開IPO窗口；合肥、武漢、上海等地方政府以“代建廠房+設(shè)備補(bǔ)貼+流片獎(jiǎng)勵(lì)”模式，將單個(gè)12吋存儲晶圓廠的綜合補(bǔ)貼力度提升到1美元/GB產(chǎn)能。

2.技術(shù)進(jìn)步推動行業(yè)發(fā)展

國內(nèi)已初步形成“IDM+虛擬IDM+Fabless”并行的技術(shù)突圍路線：長江存儲232層Xtacking 4.0 NAND在堆疊層數(shù)上領(lǐng)先海外同代產(chǎn)品，長鑫存儲17nm DDR5即將量產(chǎn)并與國際龍頭差距縮至1.5代以內(nèi)；兆易創(chuàng)新、東芯等Fabless在55nm NOR Flash及利基型SLC NAND實(shí)現(xiàn)工藝持平；更關(guān)鍵的是，國產(chǎn)蝕刻、薄膜、量測設(shè)備在128層及以上3D NAND、17nm DRAM產(chǎn)線的驗(yàn)證覆蓋率已突破60%，為2026年后的擴(kuò)產(chǎn)解除設(shè)備“卡脖子”打下基礎(chǔ)。

3.市場需求不斷增長

中國已是全球最大數(shù)據(jù)圈，2025年本土產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將達(dá)48ZB，占全球總量28%，直接拉動DRAM+NAND需求規(guī)模突破4580億元，2023-2027年CAGR保持9%以上；AI服務(wù)器、車載存儲、工業(yè)實(shí)時(shí)控制三大增量場景合計(jì)貢獻(xiàn)新增需求的55%，其中AI服務(wù)器HBM/高帶寬DRAM需求年增超60%，新能源車單車存儲容量從2023年的20GB躍升至2027年的150GB，成為國產(chǎn)廠商切入高毛利細(xì)分市場的關(guān)鍵突破口。