近年來，我國正通過自主技術(shù)逐步打破海外壟斷，國內(nèi)半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模穩(wěn)步增長。2024年中國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模達(dá)到約4267億元，較上年增長8.22%。2025年中國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模將達(dá)到4651億元。

中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)發(fā)展前景

1.政策層面支持行業(yè)發(fā)展

 “十四五”以來，國家將半導(dǎo)體存儲器列為“卡脖子”環(huán)節(jié)中的最高優(yōu)先級，持續(xù)加碼“大基金三期+科創(chuàng)板綠色通道+地方專項債”三位一體政策包：大基金三期向長鑫、長江存儲合計注資超300億元；科創(chuàng)板第五套上市標(biāo)準(zhǔn)為尚未盈利的長鑫存儲、得一微等存儲IDM和主控企業(yè)打開IPO窗口；合肥、武漢、上海等地方政府以“代建廠房+設(shè)備補(bǔ)貼+流片獎勵”模式，將單個12吋存儲晶圓廠的綜合補(bǔ)貼力度提升到1美元/GB產(chǎn)能。

2.技術(shù)進(jìn)步推動行業(yè)發(fā)展

國內(nèi)已初步形成“IDM+虛擬IDM+Fabless”并行的技術(shù)突圍路線：長江存儲232層Xtacking 4.0 NAND在堆疊層數(shù)上領(lǐng)先海外同代產(chǎn)品，長鑫存儲17nm DDR5即將量產(chǎn)并與國際龍頭差距縮至1.5代以內(nèi)；兆易創(chuàng)新、東芯等Fabless在55nm NOR Flash及利基型SLC NAND實現(xiàn)工藝持平；更關(guān)鍵的是，國產(chǎn)蝕刻、薄膜、量測設(shè)備在128層及以上3D NAND、17nm DRAM產(chǎn)線的驗證覆蓋率已突破60%，為2026年后的擴(kuò)產(chǎn)解除設(shè)備“卡脖子”打下基礎(chǔ)。

3.市場需求不斷增長

中國已是全球最大數(shù)據(jù)圈，2025年本土產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將達(dá)48ZB，占全球總量28%，直接拉動DRAM+NAND需求規(guī)模突破4580億元，2023-2027年CAGR保持9%以上；AI服務(wù)器、車載存儲、工業(yè)實時控制三大增量場景合計貢獻(xiàn)新增需求的55%，其中AI服務(wù)器HBM/高帶寬DRAM需求年增超60%，新能源車單車存儲容量從2023年的20GB躍升至2027年的150GB，成為國產(chǎn)廠商切入高毛利細(xì)分市場的關(guān)鍵突破口。