IGBT作為一種新型功率半導體器件，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。近年來，隨著國家政策的支持和國內(nèi)企業(yè)技術水平的提升，其國產(chǎn)化進程加速推進。

一、產(chǎn)業(yè)鏈

IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上游為原材料及設備，其中原材料為半導體材料，包括硅片、光刻膠、電子特氣、封裝材料、濺射靶材等，設備為半導體設備，包括光刻機、刻蝕機等；中游為IGBT芯片的設計、制造、封測過程，IGBT按照產(chǎn)品的封裝形式分類可分為IGBT單管、IGBT模塊和智能功率模塊（IPM）；下游廣泛應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領域。

IGBT產(chǎn)業(yè)鏈以上游高壁壘材料設備（12英寸硅片微變形＜0.1nm、DUV光刻套刻精度≤1.5nm）為核心支撐，中游技術縱深貫穿芯片設計（溝槽柵結構導通壓降≤1.7V）、制造（背面減薄至80μm）、封裝測試（IPM響應＜2μs）；下游深度賦能新能源革命——新能源汽車（電驅(qū)功率密度＞35kW/L）、光伏逆變（效率＞99%）兩大場景占全球需求65%，并驅(qū)動工業(yè)控制（變頻器載頻＞20kHz）、軌道交通（3.3kV高壓模塊）智能化升級。未來發(fā)展聚焦SiC/IGBT混合集成（損耗再降50%）、車規(guī)級可靠性突破（結溫＞200℃）、芯片國產(chǎn)替代（中芯國際12英寸IGBT線量產(chǎn)），亟需攻克材料純度（電子特氣≥99.9999%）、封裝散熱（熱阻＜0.3K/W）及成本優(yōu)化（8英寸線成本↓30%）等瓶頸，以滿足全球碳中和背景下新能源裝備年增30%的爆發(fā)需求。

二、上游分析

1.硅片

（1）市場規(guī)模

盡管目前主要半導體硅片企業(yè)均已啟動擴產(chǎn)計劃，但其預計產(chǎn)能長期來看仍無法完全滿足芯片制造企業(yè)對半導體硅片的增量需求，疊加中長期供應安全保障考慮，國內(nèi)半導體硅片行業(yè)仍將處于快速發(fā)展階段。2019-2023年中國半導體硅片市場規(guī)模從77.10億元增至123.30億元，年均復合增長率達12.45%，2024年約為131億元。2025年中國半導體硅片市場規(guī)模將達到146億元。

（2）重點企業(yè)分析

與國際主要半導體硅片供應商相比，中國大陸半導體硅片廠商市場份額較小，技術工藝水平以及良品率控制等與國際先進水平相比仍具有顯著差距。國內(nèi)半導體硅片龍頭企業(yè)滬硅產(chǎn)業(yè)、立昂微、TCL中環(huán)、中晶科技等，相關產(chǎn)能及業(yè)務布局情況如下圖所示：

2.光刻膠

（1）市場規(guī)模

目前，全球光刻膠市場已達到百億美元規(guī)模，市場空間廣闊。我國光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈逐步完善，且隨著下游需求的逐漸擴大，光刻膠市場規(guī)模顯著增長。2023年我國光刻膠市場規(guī)模約109.2億元，2024年約增長至114.4億元。2025年我國光刻膠市場規(guī)�？蛇_123億元。

（2）重點企業(yè)分析

光刻膠的應用領域主要為半導體產(chǎn)業(yè)、面板產(chǎn)業(yè)和PCB產(chǎn)業(yè)。從細分市場來看，在半導體光刻膠市場，由于技術含量最高，市場主要由JSR、東京應化、信越、杜邦、富士等國際巨頭壟斷。

3.電子特氣

（1）市場規(guī)模

中國電子特氣市場規(guī)模同樣呈現(xiàn)出穩(wěn)步增長的趨勢。2023年中國電子特氣市場規(guī)模249億元，2024年市場規(guī)模約262.5億元，隨著集成電路和顯示面板等半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，電子特氣的需求將持續(xù)增長，2025年中國電子特氣市場規(guī)模將達279億元。

（2）競爭格局

中國電子特氣行業(yè)形成差異化格局，核心特點有三：技術聚焦光刻氣、高純摻雜氣體等高端制程突破，國產(chǎn)化進程在半導體制造、光伏及面板領域加速替代進口并打入全球供應鏈，產(chǎn)能布局向含氟特氣全球領先和軍民融合等多領域協(xié)同拓展，呈現(xiàn)“高端突破-國產(chǎn)替代-多場景支撐”的一體化發(fā)展體系。

4.刻蝕機

（1）市場規(guī)模

刻蝕機主要用來制造半導體器件、光伏電池及其他微機械等。近年來，全球刻蝕機市場規(guī)模呈增長趨勢。2023年全球刻蝕機市場規(guī)模約為148.2億美元，同比增長5.93%，2024年市場規(guī)模約為156.5億美元。2025年全球刻蝕機市場規(guī)模將達164.8億美元。

（2）重點企業(yè)分析

刻蝕機行業(yè)的競爭格局呈現(xiàn)出高度集中且競爭激烈的態(tài)勢。全球范圍內(nèi)，以LAMResearch、AMAT和TEL為代表的國際巨頭占據(jù)了市場的主導地位，它們憑借先進的技術、豐富的產(chǎn)品線和廣泛的客戶群體，在全球刻蝕機市場中占據(jù)了大部分份額。中微公司和北方華創(chuàng)等本土企業(yè)憑借自主研發(fā)和創(chuàng)新能力，逐漸在刻蝕機領域嶄露頭角，成為國內(nèi)刻蝕機行業(yè)的領軍企業(yè)。

三、中游分析

1.全球市場規(guī)模

IGBT是目前發(fā)展最快的功率半導體器件之一。2024年全球IGBT的市場規(guī)模約為75億美元，較上年增長5.6%。受益于新能源汽車、風光儲、工業(yè)控制等領域需求的爆發(fā)式增長， 2025年全球IGBT市場規(guī)模將達到80億美元。

2.中國市場規(guī)模

在雙碳戰(zhàn)略驅(qū)動和人工智能浪潮下，市場對能源轉(zhuǎn)換效率、設備智能化水平的要求持續(xù)提升，進而推動市場對各類半導體功率器件需求持續(xù)增加，IGBT等半導體功率器件將成為國民經(jīng)濟發(fā)展中不可或缺的電子元器件。2024年中國IGBT市場規(guī)模達到223.3億元，較上年增長10.7%。2025年中國IGBT市場規(guī)模將達到244.9億元。

3.中國產(chǎn)量

IGBT被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”，廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、新能源汽車等領域。目前在軌道交通領域已經(jīng)實現(xiàn)技術突破，在新能源汽車領域，IGBT是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，我國IGBT產(chǎn)量快速增長。2024年中國IGBT產(chǎn)量達到3859萬只。2025年中國IGBT產(chǎn)量將超過4000萬只。

4.核心競爭力排行

當前行業(yè)呈現(xiàn)“高端突破與場景垂直化雙軌并進”特征：頭部企業(yè)依托車規(guī)級認證壁壘和IDM產(chǎn)能整合主導產(chǎn)業(yè)鏈；中游廠商聚焦綠電（光伏/儲能）與工控細分領域，以定制化算法與成本控制構建差異化優(yōu)勢；新興勢力則通過第三代半導體融合及封裝技術創(chuàng)新切入增量市場。核心挑戰(zhàn)在于突破高壓芯片代差與國際專利壁壘，未來競爭將加速向碳化硅基混合技術及全球化標準認證（AEC-Q/UL）維度升級。

5.重點企業(yè)分析

目前，中國IGBT相關A股上市公司主要分布在江蘇省，共13家。廣東省和上海市分別有9家和7家，排名第二第三。

四、下游分析

1.新能源汽車

據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，2025年6月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成126.8萬輛和132.9萬輛，同比分別增長26.4%和26.7%。2025年1-6月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成696.8萬輛和693.7萬輛，同比分別增長41.4%和40.3%。

2.光伏發(fā)電

從國內(nèi)來看，我國以光伏發(fā)電為代表的新能源發(fā)展成效顯著，裝機規(guī)模穩(wěn)居全球首位，發(fā)電量占比穩(wěn)步提升，成本快速下降，已基本進入平價無補貼發(fā)展的新階段，行業(yè)未來發(fā)展空間廣闊。2024年中國光伏發(fā)電累計裝機容量88666萬千瓦，同比增長45.2%。2025年中國光伏發(fā)電累計裝機容量有望達96050萬千瓦。

3.智能電網(wǎng)

當前智能電網(wǎng)市場在政策驅(qū)動、技術創(chuàng)新與能源結構轉(zhuǎn)型的協(xié)同作用下，加速向智能化、數(shù)字化與綠色化深度融合方向升級，核心聚焦于提升新能源消納能力、優(yōu)化能源配置效率及構建安全韌性電網(wǎng)體系。2023年中國智能電網(wǎng)市場規(guī)模約為1077.2億元，近五年年均復合增長率達10.31%，2024年市場規(guī)模約為1160億元。2025年中國智能電網(wǎng)市場規(guī)模將突破1200億元。